中科院全固态DUV光源，能颠覆ASML？揭秘其技术革新！

固态DUV激光技术：引领半导体工艺革新 快科技3月25日报道，中国科学院近日成功研发出突破性的固态DUV（深紫外）激光技术，该技术能够发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，有望将半导体工艺推进至3nm节点。

传统DUV光刻机技术解析 目前，ASML、佳能、尼康等公司生产的DUV光刻机主要采用氟化氙（ArF）准分子激光技术。这种技术通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz。这些光子随后通过光学系统调整，用于光刻设备。

中科院固态DUV激光技术：创新与突破 中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm的激光。该激光通过两条不同的光学路径进行波长转换。一路采用四次谐波转换（FHG），将1030nm激光转换为258nm，输出功率1.2W。另一路径采用光学参数放大（OPA），将1030nm激光转换为1553nm，输出功率700mW。之后，转换后的两路激光通过串级硼酸锂（LBO）晶体混合，生成193nm波长的激光光束。

技术优势与挑战 最终获得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽（FWHM）小于0.11pm（皮米），光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。 这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经与商用标准相差无几，但输出功率、频率都还较低。与ASML的技术相比，频率达到了约2/3，但输出功率只有0.7%的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。

未来展望：持续迭代，助力半导体产业 相关技术已经在国际光电工程学会（SPIE）的官网上公布。尽管目前还存在一些挑战，但中科院的固态DUV激光技术无疑为半导体产业带来了新的希望。随着技术的不断迭代和提升，我们有理由相信，这项技术将为我国乃至全球的半导体产业带来革命性的变化。 以上就是一盒网游原创的《中国科学院突破固态DUV激光技术，助力半导体工艺迈向3nm》资讯，更多深度一手游戏资讯请持续关注本站。