台积电发布1.4nm新工艺：性能提升15%，功耗降低30%

台积电发布全新14A 1.4nm工艺：性能功耗双提升，对标Intel 14A

4月24日，台积电在北美技术论坛2025上正式发布了全新的14A 1.4nm级工艺，预计将于2028年上半年量产。这一工艺在命名和技术上直接对标Intel的14A工艺，后者同样号称1.4nm级工艺。

性能功耗双提升，晶体管密度大幅增加

台积电表示，A14是全新升级的一代工艺节点（非过渡型），与N2 2nm级工艺相比，同等功耗下性能可提升10-15%，同等性能下功耗可降低25-30%，逻辑晶体管密度提升最多约23%，芯片密度提升最多约20%。

升级第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管，优化设计

在技术方面，台积电A14升级了第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管，以及新的标准单元架构NanoFlex Pro。NanoFlex Pro可以在设计芯片时，针对特定的应用或负载，精细调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积（PPA）。

与N2P 2nm、A16 1.6nm不兼容，2029年推出升级版

遗憾的是，台积电A14首发时没有Super Power Rail（SPR）背部供电网络（BSPDN），这一点与自家的A16、Intel A18/A14截然不同，倒是与自己的N2、N2P一样。台积电承诺会在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。

后期可能演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C

升级版A14暂时没有名字，可能会叫做A14P。后期还可能演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。

台积电A16、N2P工艺预计2026年下半年量产

值得一提的是，台积电的A16、N2P工艺预计将于2026年下半年量产。

Intel代工A14 1.4nm级工艺预计2026年左右推出

Intel代工在去年2月份成立时，宣布了自己的A14 1.4nm级工艺，业界首次采用全新的High NA EUV光刻机，预计将于2026年左右推出，届时又是棋逢对手。

Intel代工将在下周举办新一届大会，公布最新进展。

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